新華社北京6月28日電（記者胡喆）記者28日從中國電子科技集團有限公司獲悉，由該集團旗下電科裝備自主研制的高能離子注入機成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，性能達到國際先進水平。

據(jù)介紹，離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機即是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設備。

高能離子注入機是離子注入機中技術難度最大的機型。長久以來，因其極大的研發(fā)難度和較高的行業(yè)競爭壁壘，被稱為離子注入機領域的“珠穆朗瑪峰”，是我國集成電路制造裝備產業(yè)鏈上亟待攻克的關鍵一環(huán)。

電科裝備在離子注入機領域具有較好的技術積淀，已連續(xù)突破中束流、大束流、特種應用及第三代半導體等離子注入機產品研發(fā)及產業(yè)化難題，產品廣泛服務于全球知名芯片制造企業(yè)。

電科裝備離子注入機總監(jiān)張叢表示，電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機，實現(xiàn)我國芯片制造領域全系列離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，并為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機成套解決方案。